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一种金平板电极

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成果类型:
专利
发明/设计人:
曹忠;朱爽丽;何婧琳;伍娉;曹婷婷;...
申请/专利权人:
长沙理工大学
专利类型:
实用新型专利
语种:
中文
申请时间:
2014-02-26
申请/专利号:
CN201420081510.1
公开时间:
2014-09-24
公开号:
CN203849199U
主申请人地址:
410004 湖南省长沙市雨花区万家丽南路二段960号长沙理工大学化学与生物工程学院
机构署名:
本校为第一完成单位
主权项:
一种金平板电极,其特征在于该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜(2)和引脚金膜(3)的基片(1),该引脚金膜(3)与外包有塑料绝缘层(4)的金属丝导线(5)通过焊锡(6)相连接,连接处用环氧树脂胶(7)包裹密封。
摘要:
本实用新型公开了一种金平板电极,该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜(2)和引脚金膜(3)的基片(1),该引脚金膜(3)与外包有塑料绝缘层(4)的金属丝导线(5)通过焊锡(6)相连接。所述基片(1)的结构是:在抛光的氮化硅基板(11)上逐步沉积二氧化硅膜层(12)、金属铬膜层(13)、铜镍合金膜层(14);铜镍合金膜层(14)经抛光处理后,再在其表面上沉积工作金膜(2)和引脚金膜(3),所沉积金膜的厚度为20~400nm。该金平板电极制作简单、成本低廉、使用方便,且金膜工作面积大、平整度高、易进行表面修饰,优于传统电化学的金盘电极。

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