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基于相关性分离的逻辑电路敏感门定位算法

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成果类型:
期刊论文
作者:
蔡烁;何辉煌;余飞;尹来容;刘洋
作者机构:
[蔡烁; 何辉煌; 余飞] 长沙理工大学计算机与通信工程学院
[尹来容] 长沙理工大学汽车与机械工程学院
[刘洋] 中通服咨询设计研究院有限公司
语种:
中文
关键词:
逻辑电路;失效率;相关性分离;敏感门定位;容错设计
关键词(英文):
Logic circuit;Failure;Correlation separation;Critical gate location;Fault tolerant design
期刊:
电子与信息学报
ISSN:
1009-5896
年:
2024
卷:
46
期:
01
页码:
362-372
基金类别:
国家自然科学基金(62172058); 湖南省自然科学基金(2022JJ10052,2022JJ30624)~~;
机构署名:
本校为第一机构
院系归属:
汽车与机械工程学院
计算机与通信工程学院
摘要:
随着CMOS器件特征尺寸进入纳米量级,因高能粒子辐射等造成的电路失效问题日益严重,给电路可靠性带来严峻挑战。现阶段,准确评估集成电路可靠性,并以此为依据对电路进行容错加固,以提高电路系统可靠性变得刻不容缓。然而,由于逻辑...展开更多 随着CMOS器件特征尺寸进入纳米量级,因高能粒子辐射等造成的电路失效问题日益严重,给电路可靠性带来严峻挑战。现阶段,准确评估集成电路可靠性,并以此为依据对电路进行容错加固,以提高电路系统可靠性变得刻不容缓。然而,由于逻辑电路中存在大量扇出重汇聚结构,由此引发的信号相关性导致可靠性评估与敏感单元定位面临困难。该文提出一种基于相关性分离的逻辑...
摘要(英文):
With the feature size of CMOS device entering the nanoscale,the circuit failure issue caused by high-energy particle radiation is becoming more and more serious,which brings severe challenges to the circuit reliability.At present,it is urgent to accurately evaluate the ...MORE With the feature size of CMOS device entering the nanoscale,the circuit failure issue caused by high-energy particle radiation is becoming more and more serious,which brings severe challenges to the circuit reliability.At present,it is urgent to accurately evaluate the reliability of the integrated circuit and reinforce ...

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