本发明公开了一种基于氮化硅的纳米金膜电极,该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜(2)和引脚金膜(3)的基片(1),该引脚金膜(3)与外包有塑料绝缘层(4)的金属丝导线(5)通过焊锡(6)相连接;所述基片(1)的制备是采用磁控溅射镀膜法,即在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积二氧化锡膜层(12)、金属钛膜层(13)、铜锰合金膜层(14);铜锰合金膜层(14)经抛光处理后,再采用掩膜版法在其表面上溅射沉积工作金膜(2)和引脚金膜(3),所沉积金膜的厚度为20~400nm。该纳米金膜电极制作简单、成本低廉、使用方便,且金膜工作面积大、平整度高、易进行表面修饰,优于传统电化学的金盘电极。