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经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性

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成果类型:
期刊论文
作者:
刘小兵;史向华;熊祖洪;袁帅;廖良生
作者机构:
[刘小兵; 史向华] 长沙电力大学物理系
[熊祖洪; 袁帅; 廖良生] 复旦大学
语种:
中文
关键词:
多孔硅;光致发光;钝化
关键词(英文):
Absorption spectroscopy;Infrared spectroscopy;Passivation;Photoluminescence;Porous silicon;Film surface passivation;Porous silicon photoluminescence;Semiconducting silicon
期刊:
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
ISSN:
0253-4177
年:
2000
卷:
21
期:
1
页码:
38-43
基金类别:
国家自然科学基金!(19525410);
机构署名:
本校为第一机构
院系归属:
物理与电子科学学院
摘要:
在一定偏压下用AlCl_3+C_2H_5OH+H_2O混合液对多孔硅进行了后处理。经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强度且稳定。通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al_2O_3与SiO_x结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因。
摘要(英文):
Bright and stable photoluminescence from porous silicon samples immersed in AlCl3+C2H5OH+H2O solution under a certain bias voltage was obtained. FTIR spectra show that the enhancement and stabilization of the photoluminescence from the treated porous silicon are due to the formation of SiOx and Al2O3 films on the sample surfaces. The passivation films obtained by treating the porous silicon have g...

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