硅基SiN↓xO↓y薄膜的光致发光

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成果类型：

期刊论文

作者：

廖良生;熊祖洪;袁帅;侯晓远;刘小兵

作者机构：

[廖良生; 熊祖洪; 袁帅; 侯晓远] 复旦大学

[刘小兵] 长沙电力大学物理系

语种：

中文

关键词：

SiN↓xO↓y薄膜;光致发光

期刊：

科学通报(英文版)

ISSN：

2095-9273

年：

1997

卷：

期：

页码：

1900-1901

基金类别：

中国博士后基金;李政道物理学综合实验室正大基金

机构署名：

本校为其他机构

院系归属：

物理与电子科学学院

摘要：

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

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