期刊论文

A Current Reference Source with Low Temperature Drift and Low Line Regulation

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微电子学

1004-3365

2016

46

5

628-631

10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.05.012

国家科技支撑计划资助项目（2014BAH28F04） 国家自然科学基金资助项目（61404011） 湖南省自然科学基金资助项目（2015JJ3001） 湖南省重点学科建设资助项目 湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目 长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目

本校为第一机构

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35 μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40 ℃?100 ℃的温度范围内,电流变化为2.4 nA,温度系数为7.49×10~(-6)/℃;在3.0?5.5 V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096 nA/V;在5 V工作电压下,输出基准电流为2.301 μA,电路功耗为0.08 mW,低频时电源电压抑制比为-57.47 dB。

A positive temperature coefficient current was obtained on the base of the characteristics of the NMOSFETs sub-threshold region,linear region and saturated region. In linear region,a negative temperature coefficient current was obtained to complement the positive temperature coefficient current by using high resistance polysilicon resistor in series with N-well resistor, instead of the NMOS tube of the linear region. A novel current summing CMOS current reference source was presented on the base of the self biased cascode current mirror structu...