期刊论文

A Novel Pre-Suppression Circuit for All-MOSFET Bandgap Voltage Reference Source

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微电子学

1004-3365

2016

46

6

801-805

10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.06.018

国家科技支撑计划项目（2014BAH28F04） 国家自然科学基金资助项目（61404011） 湖南省自然科学基金资助项目（2015JJ3001） 湖南省重点学科建设资助项目 湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目 长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目

本校为第一机构

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35 μm 5V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64 μm×136 μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53V;电源电压在3.4~5.5V范围内,线性调整率为97.8μV/V;PSRR在10Hz处为-143.2 dB,在100Hz处为-123.3 dB,在1 kHz处为103.3 dB;环境温度在-45℃~125℃范围内,平均温度系数为8.7×10~(-6)/℃。

A novel pre-suppression circuit was presented for all-MOSFET bandgap voltage reference source.The difference between the pre-suppression voltage and the reference voltage was fixed to threshold voltage by a large width/length ratio of PMOSFET transistor and the negative feedback loop in the circuit.The stable pre-suppression voltage could greatly improve the line regulation,temperature stability and power supply rejection ratio.This chip was fabricated in Nuvoton 0.35 μm 5Vstandard CMOS technology.The layout of the circuit occupied an active a...