一种基于求和型CMOS基准电流源的RC振荡器

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成果类型：

期刊论文

作者：

唐俊龙;罗磊;肖仕勋;韦钰;曹韬;...

作者机构：

长沙理工大学物理与电子科学学院

[肖仕勋; 罗磊; 韦钰; 邹望辉; 唐俊龙; 曹韬] 长沙理工大学

语种：

中文

关键词：

CMOS工艺;基准电流源;RC振荡器;求和;共源共栅电流镜;温度范围;充放电电流;传感器芯片

期刊：

电子世界

ISSN：

1003-0522

年：

2019

期：

页码：

11-13

DOI：

10.19353/j.cnki.dzsj.2019.03.003

基金类别：

2014BAH28F04:国家科技支撑计划 17K004:湖南省教育厅创新平台开放基金 :柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室

机构署名：

本校为第一机构

院系归属：

物理与电子科学学院

摘要：

基于HHNEC 0.35μm 5V CMOS工艺,提出一种自偏置共源共栅电流镜结构的改进新颖求和型CMOS基准电流源,产生一个低温漂基准电流作为充放电电流,设计了一款应用于温度传感器芯片的高精度RC振荡器,采用共质心结构和虚拟管匹配技术完成RC振荡器版图。仿真结果表明,在温度范围为-40℃~80℃,电源电压范围为4.5V~5.5V时,基准电流仅变化了3.62nA,温漂系数是11.09ppm/℃。RC振荡器输出中心频率为4.717MHz,占空比为50%,误差小于0.94%,功耗为0.25mW。

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