作者： 陈玉辉;王振宇;谢海情

期刊： 电子测试,2020年(7):25-26+52 ISSN：1000-8519

作者机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙,410114;[陈玉辉; 谢海情; 王振宇] 长沙理工大学

关键词： 电压跟随;电流复制;低压低功耗

摘要： 本文提出了一种集成低压低功耗电流复制电路。利用单级放大器和电压跟随器构成的负反馈回路实现对输入电压跟的跟随,利用等比例电阻实现电流的等比例复制,电路结构简单,仅由5个MOS管和2个等比例电阻构成。基于TSMC 0.18μm工艺完成电路设计,使Spectre完成电路仿真。结果表明,电路电源电压为1V时,电路静态功耗仅为1μW。在输入电流范围为0-50μA时,输出电流线性跟随输入电流,当输入电流大于3μA时,电流复制精度大于99%,电路带宽为31MHz。

语种： 中文

作者： 肖海鹏;谢海情;汪东

期刊： 智能计算机与应用,2020年10(06):113-115+119 ISSN：2095-2163

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院,长沙410005;湖南毂梁微电子有限公司,长沙410005;[谢海情; 肖海鹏] 长沙理工大学;[汪东] 湖南毂梁微电子有限公司

关键词： 存储保护单元;断言验证;功能验证

摘要： 针对X-DSP存储空间的访问安全问题,本文采用硬件保护原理设计了一个存储保护单元,通过检查访问请求属性是否安全来决定是否允许未授权用户访问存储保护区域,从而实现存储空间的数据保护功能。采用System Verilog Assertions编写存储保护单元的功能属性描述,并采用断言验证方法完成存储保护单元的形式化验证。在X-DSP芯片验证环境下,采用FPGA原型验证,完成存储保护单元的功能测试。结果表明,存储保护单元实现了X-DSP存储空间的数据保护,防止非法程序破坏安全空间,阻止未经授权的用户访问存储空间。另外,断言验证方法保证了功能验证的完备性,从而缩短了产品开发周期。

语种： 中文

作者： 谢海情;陈玉辉;王振宇

期刊： 电子元件与材料,2020年39(10):65-69 ISSN：1001-2028

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院, 湖南 长沙 410114;[陈玉辉; 谢海情; 王振宇] 长沙理工大学

关键词： 运算放大器;恒跨导;轨到轨;低压低功耗;三倍电流镜;共源共栅

摘要： 提出了一种恒跨导轨到轨运算放大器,输入级电路采用三倍电流镜结构,补偿输入差分对管的静态电流,降低输入级跨导变化率;中间级电路采用两个三层MOS管共源共栅结构代替传统轨到轨运算放大器中的四层MOS管套筒式共源共栅结构,实现四端输入转为双端输出,并降低电源电压;输出级电路采用交差耦合输出结构,实现轨到轨输出,同时完成双端输入转单端输出,设计一种恒跨导轨到轨运算放大器。基于TSMC 0.18 μm工艺完成电路与版图设计,使用Spectre完成仿真。结果表明,在电源电压为1 V,输入电压从0 V变化到1 V时,该放大器可实现0~ 1 V的轨到轨输出,静态功耗仅为44 μW,输入级跨导变化率为5.5%,实现了低电源电压、低功耗和恒跨导的性能指标。

语种： 中文

作者： Xie, Hai-Qing;Li, Jie-Ying;Liu, Gang;Cai, Xi-Ya;Fan, Zhi-Qiang*

期刊： IEEE Transactions On Electron Devices,2020年67(10):4130-4135 ISSN：0018-9383

通讯作者： Fan, Zhi-Qiang

作者机构： [Xie, Hai-Qing; Fan, Zhi-Qiang] Changsha Univ Sci & Technol, Hunan Prov Key Lab Flexible Elect Mat Genome Engn, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Peoples R China.;[Liu, Gang; Cai, Xi-Ya; Li, Jie-Ying] Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Peoples R China.

通讯机构： [Fan, Zhi-Qiang] C;Changsha Univ Sci & Technol, Hunan Prov Key Lab Flexible Elect Mat Genome Engn, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Peoples R China.

关键词： Logic gates;Silicon carbide;Performance evaluation;Electrodes;MOSFET;Photonic band gap;Density functional theory (DFT);field-effect transistor (FET);quantum transport;Schottky barrier;SiC

摘要： Schottky-barrier field-effect transistors (SBF-ETs) based on 2-D semiconductors had been investigated as a substitute for a conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) based on bulk silicon in the field of high-performance (HP) device. Especially, the monolayer SiC has been studied because it has a large band gap, which results in reducing the short-channel effect. In this article, the gate-source/drain underlap-dependent characteristics of HP SBFETs based on monolayer SiC with 5.1-and 4.6-nm gate lengths are investigated through ab initio simulations. The performances of the 5.1-nm monolayer SiC SBFET are degraded by the gate-source/drain underlap. The gate-source/drain underlap, however, shows the different improved performances for the 4.6-nm monolayer SiC SBFET. The gate-source underlap could enhance the ON-current to 2792\mu \text{A}/\mu \text{m} and the gate-drain underlap can enhance the ON-current to 1754\mu \text{A}/\mu \text{m} , which all far exceed the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) requirement. © 1963-2012 IEEE.

语种： 英文

作者： 谢海情;贾新亮;黄茂飞;李洁颖;彭永达;...

期刊： 压电与声光,2019年41(1):76-79 ISSN：1004-2474

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院,湖南 长沙,410114;湖南电子科技职业学院 机械与电子信息工程学院,湖南 长沙,410217;[贾新亮; 李洁颖; 王超; 彭永达; 谢海情; 王龙] 长沙理工大学;[黄茂飞] 湖南电子科技职业学院

关键词： 温度特性;信噪比;栅极电压;光探测器

摘要： 通过模型构建、数值计算和软件模拟, 对绝缘衬底上的硅 (SOI) 基栅控横向P-I-N (通用结构) 蓝紫光探测器在-25～75℃的电流-电压 (I-V) 特性进行研究.构建温度对栅极电压影响的解析模型, 通过数值计算与软件模拟, 验证模型的有效性.利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比 (SNR) 等特性进行模拟仿真.结果表明, 沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大, 温度对光电流的影响不明显, 信噪比随温度的升高而减小, 在温度T=-25℃, 栅极电压为1.44V时, SNR达到最大值6.11×105;在T=75℃, 栅极电压为2V时, SNR达到最小值为1.064×103.

语种： 中文

作者： 唐俊龙;罗磊;周斌腾;肖仕勋;谢海情;...

期刊： 半导体技术,2019年44(6):415-420 ISSN：1003-353X

作者机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114;[肖仕勋; 罗磊; 周斌腾; 邹望辉; 谢海情; 唐俊龙] 长沙理工大学

关键词： 驱动电路;峰值电流检测;脉冲宽度调制;发光二极管(LED);转换效率

摘要： 基于HHNEC 0.35 μm 40 V BCD工艺,采用峰值电流检测模式的脉冲宽度调制方式,设计了一款能在8～42 V的输入电压范围内,-40～ 125℃的温度范围内正常工作的高转换效率、高输出电流精度的发光二极管(LED)驱动电路,版图面积为925.3 μm×826.8μm.利用带负反馈的预稳压电路为基准源电路和线性稳压器提供稳定的工作电压,新颖求和型CMOS基准电流源提供低温漂、高精度的偏置电流,带预抑制电路的基准电压源提供高精度的参考电压,提高了输出电流的精度.仿真结果表明,在典型工艺角TT下,当输入电压为40 V,驱动9个LED,输出电流为400 mA时,该LED驱动电路转换效率为95.8％,输出电流精度为1.75％.

语种： 中文

作者： Xie, Hai-Qing*;Peng, Yong-Da;Li, Jie-Ying;Wu, Li-Juan

期刊： IEEE Transactions On Electron Devices,2019年66(7):3003-3006 ISSN：0018-9383

通讯作者： Xie, Hai-Qing

作者机构： [Wu, Li-Juan; Xie, Hai-Qing; Li, Jie-Ying; Peng, Yong-Da] Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.;[Xie, Hai-Qing] Changsha Univ Sci & Technol, Hunan Prov Key Lab Flexible Elect Mat Genome Engn, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

通讯机构： [Xie, Hai-Qing] C;Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

关键词： Avalanche photodiode;multibuffer;separate absorption multiplication;SOI

摘要： A lateral separate absorption multibuffer multiplication (LSAMBM) avalanche photodiode based on SOI film was proposed. The LSAMBM structure could nearly eliminate the edge breakdown induced by the curvature effect to improve the stability of the device, and effectively solve the conflict between the sensitive area and the junction capacitance. The step doping multibuffer could reduce the strength of the reverse electric field between absorption region and multiplication region to achieve larger strength of the electric field in the absorption region. Thus, low avalanche breakdown voltage (BV), high responsivity, and fast frequency response could be obtained simultaneously. The simulation results showed that the BV was about 8.2 V and the dark current was only 2.6 fA with a reverse bias of 4 V. When the incident light wavelength was 400 nm and optical power was equal to 0.001 W/cm2, the responsivity and frequency response raised to 160.05 A/W and 10 GHz with the reverse bias of 8.2 and 9.5 V, respectively. All these indicated that the LSAMBM APD could be a promising candidate for the high-speed weak-light detection. © 1963-2012 IEEE.

语种： 英文

作者： Xie, Hai-Qing;Li, Jie-Ying;Liu, Gang;Cai, Xi-Ya;Fan, Zhi-Qiang*

期刊： IEEE Transactions On Electron Devices,2019年66(12):5111-5116 ISSN：0018-9383

通讯作者： Fan, Zhi-Qiang

作者机构： [Liu, Gang; Cai, Xi-Ya; Xie, Hai-Qing; Li, Jie-Ying; Fan, Zhi-Qiang] Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.;[Xie, Hai-Qing; Fan, Zhi-Qiang] Changsha Univ Sci & Technol, Hunan Prov Key Lab Flexible Elect Mat Genome Engn, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

通讯机构： [Fan, Zhi-Qiang] C;Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

关键词： Silicon carbide;Electrodes;Gold;Logic gates;Photonic band gap;Transistors;Density functional theory;field-effect transistor (FET);quantum transport;Schottky barrier;SiC

摘要： Schottky-barrier field-effect transistors (SBFETs) based on monolayer SiC contacting four metals (Ag, Au, Al, and Pd) have been proposed using density functional theory and ab initio simulations. The n-type Schottky contacts could be formed between monolayer SiC and Ag, Au electrodes with electron Schottky barrier heights (SBHs) of 0.7 and 1.1 eV, respectively, whereas the p-type Schottky contacts were formed between monolayer SiC and Al, Pd electrodes with hole SBHs of 1.0 and 0.1 eV, respectively. When the gate length was equal to 5.1 nm, SiC-SBFETs with four metals could all overcome the short-channel effect due to the wide bandgap of SiC. In addition, the SiC-SBFET with Pd electrode provided the best performance and could satisfy the performance requirement of high-performance transistor with gate length of 5.1 nm outlined by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Our study gives an insight into the monolayer SiC-metal interfaces and, thus could be developed into a viable 5-nm 'More than Moore' device in the future. © 1963-2012 IEEE.

语种： 英文

作者： 谢鹏飞;彭润伍;谢海情

期刊： 激光技术,2019年43(3):406-410 ISSN：1001-3806

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院,长沙,410114;[彭润伍; 谢海情; 谢鹏飞] 长沙理工大学

关键词： 激光物理;焦移;色散透镜;带宽

摘要： 为了了解带宽对厄米-高斯光束的聚焦特性和焦移的影响,采用衍射积分推导了TEM11模和TEM22模厄米-高斯光束通过受光阑限制色散透镜的传输公式,并利用数值计算对聚焦光强分布进行了研究,分析了带宽对两种模式焦移的影响。结果表明,TEM11模和TEM22模厄米-高斯光束的焦移量都会随带宽增大而增大,但两者的大小依赖相对带宽;当相对带宽小于0.25时,TEM22模焦移量大于TEM11模焦移量,然而相对带宽大于0.25时,后者会稍大于前者;带宽变化使TEM22模轴上光强主极大和次极大发生消长,从而引起轴上光强极大位置发生跃变。该研究结果对宽带厄米-高斯光束的应用具有一定的参考价值。

语种： 中文

作者： Xie, Fang*;Song, Chang-Kun;Zhang, Xiao-Jiao;Liu, Jian-Ping;Wang, Hai-Yan;...

期刊： Chemical Physics Letters,2018年713:26-31 ISSN：0009-2614

通讯作者： Xie, Fang;Fan, Zhi-Qiang

作者机构： [Song, Chang-Kun; Zhang, Xiao-Jiao; Wang, Hai-Yan; Xie, Fang; Liu, Jian-Ping] Yichun Univ, Phys Sci & Engn Technol Coll, Yichun 336000, Peoples R China.;[Xie, Hai-Qing; Fan, Zhi-Qiang] Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

通讯机构： [Xie, Fang] Y;[Fan, Zhi-Qiang] C;Yichun Univ, Phys Sci & Engn Technol Coll, Yichun 336000, Peoples R China.;Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

摘要： In present work, we have studied the electronic transport properties of a single diketopyrrolopyrrole molecule connected to the gold electrode or the zigzag graphene nanoribbon electrode via the benzene or the pyrene by performing first-principle quantum transport calculations. The results show that the conductance of the single diketopyrrolopyrrole molecular device can be modulated by changing the electrode. Remarkable negative differential resistance behavior can be found in the single diketopyrrolopyrrole molecular device with zigzag graphene nanoribbon electrode. In addition, we find that the anchoring groups play an important role in the magnitude of the device's current. © 2018

语种： 英文

作者： 白创;唐立军;邹望辉;谢海情;吴丽娟

期刊： 科技创新导报,2018年15(30):143-144 ISSN：1674-098X

作者机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院 湖南长沙 410004;[唐立军; 谢海情; 邹望辉; 白创; 吴丽娟] 长沙理工大学

关键词： 集成电路人才培养模式;课程体系;考核方式;校企联合培养机制

摘要： 本文在对集成电路高端设计人才培养现状与特征的分析基础上,提出了新型的"2+1+1"集成电路人才培养模式。通过建立强调精英教育与专业教育的课程体系,加强实践环节深化专业能力培养,采取多元、动态的课程考核方式,建立"双导师"制校企联合学生培养机制等手段,实现集成电路高端设计人才培养的目标。

语种： 中文

作者： 彭永达;贾新亮;王超;王龙;陈玉辉;...

期刊： 电子技术,2018年47(5):16-18 ISSN：1000-0755

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院 湖南长沙 410114;[汪章紫璇; 贾新亮; 陈玉辉; 王超; 谢海情; 彭永达; 王龙] 长沙理工大学

关键词： 雪崩光电二极管;SAM结构;工艺仿真;I-V特性

摘要： 利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SAM结构雪崩光电二极管分别进行工艺仿真和特性研究。利用ATHENA模块得到器件的掺杂浓度分布和掺杂区域隔离。利用ATLAS模块对ATHENA得到器件结构进行雪崩击穿电压和有无光照时的电流电压特性进行软件模拟。在合理掺杂浓度时该雪崩光电二极管的击穿电压约为6.2V。

语种： 中文

作者： 谢海情;王龙;陈玉辉;李洁颖;肖海鹏;...

期刊： 压电与声光,2018年40(6):905-909 ISSN：1004-2474

通讯作者： Zeng, C.

作者机构： [谢海情; 王龙; 陈玉辉; 李洁颖; 肖海鹏; 王振宇; 曾承伟] 长沙理工大学物理与电子科学学院, 湖南, 长沙, 410114

通讯机构： School of Physics & Electronic Science, Changsha University of Science & Technology, Changsha, China

关键词： 石英晶体振荡器;自动增益控制;功耗;相位噪声;CMOS集成

摘要： 通过分析三点式振荡器的结构原理,选取桑托斯(Santos)结构,利用非对称差分对的电流分配特性实现幅度控制,以降低功耗.采用反相器链整形满摆幅输出,设计了一种适用于无线接收芯片的12 MHz自动增益控制晶体振荡器.基于和舰(HJ)射频(RF)0.18 μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,流片并测试.结果表明,该晶体振荡器的总电流为120 μA,相位噪声为-121 dBc/@1 kHz,-165.1 dBc/@1 MHz,满足无线接收芯片的性能指标.

语种： 中文

作者： 贾新亮;唐俊龙;李洁颖;彭永达;王振宇;...

期刊： 电子技术,2018年47(4):37-38,36 ISSN：1000-0755

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院 湖南长沙 410114;[贾新亮; 李洁颖; 谢海情; 肖海鹏; 彭永达; 王振宇; 唐俊龙] 长沙理工大学

关键词： 蓝紫光探测器;栅控横向PIN光电二极管;绝缘衬底硅;工艺实现

摘要： 利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器进行工艺实现和特性研究。利用ATHENA模块完成各工艺步骤以及退火工艺,最终实现整个器件。利用ATLAS模块对ATHENA得到的器件结构进行光、暗电流模拟仿真。并与软件建模仿真结果进行对比研究,验证工艺实现的有效性。

语种： 中文

作者： 谢海情;曾承伟;曾健平;贾新亮;王超;...

期刊： 湖南大学学报(自然科学版),2018年45(10):102-107 ISSN：1674-2974

通讯作者： Zeng, J.

作者机构： [谢海情; Zeng C.; 贾新亮; 王超; 王龙; 陈玉辉; 李洁颖] School of Physics & Electronic Science, Changsha University of Science & Technology, Changsha, 410114, China;[Zeng J.] School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China

通讯机构： School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China

关键词： 石英晶体振荡器;相位噪声;稳定度;预抑制

摘要： 通过对相位噪声进行频域分析,构建Lesson噪声优化模型,优化电路参数;并分析预抑制电路的小信号模型,优化其元器件参数,研究带RC滤波器的CMOS交叉耦合结构振荡器的相位噪声和稳定性.基于NUVOTON 0.35μm工艺,采用Cadence完成电路设计、优化与仿真,版图设计与后仿真,并最终完成流片、测试.结果表明:在电源电压为3.3 V时,该振荡器的输出信号频率为20 MHz,相位噪声分别为-135dBc/Hz@1kHz,-156.4dBc/Hz@10kHz,-169.2dBc/Hz@1MHz.当电源电压在±10%范围变化时,频率波动小于$81 \times {10^{ - 6}}$;在工作温度-25℃至85℃范围内,频率波动小于$71 \times {10^{ - 6}}$.

语种： 中文

作者： 唐俊龙;黄思齐;罗磊;涂士琦;肖仕勋;...

期刊： 微电子学,2018年48(4):458-462 ISSN：1004-3365

作者机构： [唐俊龙; 黄思齐; 罗磊; 涂士琦; 肖仕勋; 龚磊; 刘远治; 谢海情] 长沙理工大学物理与电子科学学院, 长沙, 410114

关键词： 恒跨导;高增益;轨到轨;运算放大器

摘要： 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3dB,单位增益带宽为7.22MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。

语种： 中文

作者： Fan, Zhi-Qiang*;Sun, Wei-Yu;Zhang, Zhen-Hua*;Deng, Xiao-Qing;Tang, Gui-Ping;...

期刊： Carbon,2017年122:687-693 ISSN：0008-6223

通讯作者： Fan, Zhi-Qiang;Zhang, Zhen-Hua

作者机构： [Sun, Wei-Yu; Deng, Xiao-Qing; Tang, Gui-Ping; Zhang, Zhen-Hua; Fan, Zhi-Qiang; Xie, Hai-Qing] Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

通讯机构： [Fan, ZQ; Zhang, ZH] C;Changsha Univ Sci & Technol, Sch Phys & Elect Sci, Changsha 410114, Hunan, Peoples R China.

摘要： Spintronic systems exploit the fact that the electron current is composed of spin-up and spin-down carriers, which are more easily disturbed than electronic systems. Here, we investigate the spin transport properties of a single phenalenyl or pyrene molecule connected to zigzag graphene nanoribbon electrodes by using the non-equilibrium Green's function formalism with density functional theory. We found the difference of the symmetry on these two molecules will bring a remarkable effect on the spin transport properties of the devices. The spin-resolved currents of the single pyrene molecular device are much lower than that of the single phenalenyl molecular device when they all connected to electrodes symmetrically. In addition, we found the change of the connected site will decrease the spin-resolved currents of the phenalenyl-based molecular device drastically, but had no longer any influence with the pyrene-based molecular device. The results will be helpful for us to further understand the transfer of the spin-carriers in the spintronic systems. (C) 2017 Elsevier Ltd. All rights reserved.

语种： 英文

作者： 唐俊龙;贾新亮;王超;彭永达;王龙;...

期刊： 电子技术,2017年(12):50-53 ISSN：1000-0755

作者机构： 长沙理工大学 物理与电子科学学院 湖南长沙 410114;[贾新亮; 王超; 谢海情; 彭永达; 唐俊龙; 王龙] 长沙理工大学

关键词： 环境监测;智能控制;无线通信

摘要： 基于STM32芯片,设计一种智能环境监控系统。采用Altium Designer软件完成电路原理图和PCB版图设计,应用Visual Basic和KeilμVision4编写程序实现传感器数据采集、无线信号的传输控制和可视化人机交互界面。采用冗余检查和软件滤波方法,保证数据的准确性和完整性。完成实物制作并测试,结果显示该系统具有对烟雾浓度、环境温度、气压、PM2.5及湿度等指标进行监控与报警的功能。

语种： 中文

作者： 吴丽娟;雷冰;唐俊龙;谢海情

期刊： 中国电力教育,2017年(03):69-71 ISSN：1007-0079

作者机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院;[雷冰; 谢海情; 唐俊龙; 吴丽娟] 长沙理工大学

摘要： <正>《微电子工艺学》是面向电子科学与技术专业本科生所开设的一门专业选修课,是电子专业培养方案中的重要课程之一。通过本课程的学习,了解和掌握半导体材料制备技术、微电子器件与集成电路制造工艺原理与技术,为微电子器件和集成电路的设计和制造奠定基础。掌握制造集成电路所涉及的材料、外延、氧化、掺杂、微细图形加工等的原理与技术,熟悉双极型和MOS集成电路的制造工艺流程,了解集成电路的新工艺和新技术。而

语种： 中文

作者： 唐俊龙;陈希贤;龚磊;罗磊;黄思齐;...

期刊： 测控技术,2017年36(8):11-14,19 ISSN：1000-8829

作者机构： [唐俊龙; 陈希贤; 龚磊; 罗磊; 黄思齐; 谢海情] 长沙理工大学物理与电子科学学院, 湖南, 长沙, 410114

关键词： 指纹识别;标签;指纹传感器;防伪技术

摘要： 针对防伪识别中识别效率和准确率低等问题,研究了指纹生物特征在标签防伪领域中的应用,提出了基于TI DSP芯片TMS320C5515为核心的标签防伪系统设计方案,完成了由指纹模板录入、防伪标签生成、防伪标签检测、检测结果显示等指纹标签防伪检测系统的硬件与软件设计,实现对防伪标签的制作与智能化识别检测。实验结果表明,指纹录入与标签指纹采集匹配正确率达到97%以上,融合了特种油墨的指纹标签能实现标签的防伪检测,识别产品真伪,防止标签复制。指纹生物特征识别的新型防伪系统简单易用、识别率高;可提高产品防伪识别的准确性和效率。

语种： 中文